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MBE-1000Cluster全自動傳樣系統
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產品亮點 Highlights
● 生長腔為柱狀結構，材質為SS316不銹鋼
● 模塊化設計，既滿足現有材料制備的需求，也提供未來擴展可能性
● 配置及性能指標滿足高精度薄膜材料（襯底尺寸最大可達2-inch）制備的需求
● 針對氧化物薄膜生長進行設計、配置優化
● 應用范圍廣，如：超導薄膜，拓撲絕緣體，氧化物，過渡金屬硫族化合物（TMDCs），異質結構，等等
技術規格 Mechanical Specifications
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生長室 |
生長腔內徑：300mm |
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生長腔極限真空：<5×10-10 mbar |
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超高真空抽氣系統：600L/s以上抽速分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級機械泵及配套真空管路、安全閥等；可選配離子泵、TSP等，以實現更好的本底真空 |
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真空測量：離子規及Pirani真空規，覆蓋2×10-11 mbar至大氣壓的測量范圍，并與真空控制系統關聯集成，實現系統的安全保護 |
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4軸樣品架（垂直方向安裝）：兼容臭氧，匹配標準flag-type樣品托（襯底尺寸最大可達2-inch)，工作溫度：室溫-1200K；可選配低溫模塊（液氮制冷），電子束加熱模塊，或者Direct Heating模塊 |
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包含膜厚測量儀（QCM）及配套的線性驅動，實現晶振探頭的移動操作 |
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蒸發源安裝口：8個；可根據用戶實際需求進行低、中、高、電子束蒸發源的配置; 包含特殊設計的差分抽氣模塊，無需破壞主腔真空，實現蒸發源的填料和替換，以及薄膜生長時的臭氧差分抽氣，提高蒸發源抗氧化能力 |
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包含蒸發源擋板（集成水冷模塊），可實現薄膜樣品的自動生長 |
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包含高純臭氧提純及注入系統（Ozone） |
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可選配高精度掩膜板（Mask） |
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| 可選配離子源（Ion Source） | |
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可選配等離子源（Plasma Source） |
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可選配高能電子衍射儀（RHEED） |
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可選配液氮冷井 |
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快速進樣室 |
本底真空：<5×10-8 mbar |
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超高真空抽氣系統：80L/s分子泵（Edwards或Pfeiffer品牌），包含前級機械泵及配套真空管路、安全閥、放氣閥等 |
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真空測量：全量程真空規，覆蓋5×10-9 mbar至大氣壓的測量范圍，并與真空控制系統關聯集成，實現系統的安全保護 |
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樣品停放臺：6個停放位（可升級至12個停放位） |
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樣品傳遞裝置：600mm行程傳樣桿，包含樣品托抓取頭及法蘭調節器 |
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VAT CF63閘板閥，用于生長室與快速進樣室的隔斷 |
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包含真空內烘烤模塊 |
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系統集成及控制 |
真空控制及保護系統，集成真空規信號、分子泵控制、蒸發源保護、烘烤保護等功能 |
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包含蒸發源、樣品架的溫度控制軟件 |
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包含擋板控制軟件 |
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熱風式烘烤模塊，烘烤溫度均勻，拆裝方便 |
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| MBE-350 配套蒸發源 | ||
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